论文
1. 论文题目:NO分子间隙掺杂对含有空位缺陷的有限尺寸石墨烯片体系的性能影响
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全部作者:
王骞,丁宗玲,孙进,徐起,张东东,张苗,黄燕

作者单位:安徽大学物理与材料科学学院;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
期 数:2018年4月第7期
学 科:物理学
摘 要:采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,选取含有少数碳原子空位缺陷的矩形和菱形有限尺寸石墨烯片体系为基础构型,针对NO分子间隙掺杂对含有空位缺陷的有限尺寸石墨烯片的几...[more]
2. 论文题目:表面处理对氧化铝模板浸润性的影响
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全部作者:
刘福敏,明熙,刘世勤,秦丽溶

作者单位:西南大学物理科学与技术学院
期 数:2018年4月第7期
学 科:物理学
摘 要:利用二次阳极氧化法制备具有纳米孔道的阳极氧化铝(anodic aluminum oxide,AAO)模板,通过离子溅射法在AAO模板正面沉积形成有序的金纳米孔阵列薄膜,然后在金薄膜表面涂覆一层Nafion...[more]
3. 论文题目:海绵状石墨烯/镍颗粒混合结构可拉伸气敏传感器的制备
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全部作者:
孙振翠,杨诚

作者单位:山东交通学院理学院;山东师范大学物理与电子科学学院
期 数:2018年1月第1期
学 科:物理学
摘 要:利用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法在多孔海绵泡沫镍表面生长多层石墨烯,利用湿法刻蚀掉大部分金属镍,通过对镍颗粒的含量和大小进行控制制备一种新型的高导电柔...[more]
4. 论文题目:基于谐振分离效应的环形微腔设计及仿真研究
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全部作者:
唐海泉,魏重光,邹璐,张强,菅傲群,桑胜波,张文栋

作者单位:太原理工大学信息工程学院微纳系统研究中心,新型传感器与智能控制教育部和山西省重点实验室
期 数:2018年1月第1期
学 科:物理学
摘 要:随着微纳光学理论的完善和研究的不断深入,基于环形谐振腔的光学传感器得到了迅速发展。依据单微环的基本理论,设计串联双环结构并对其谐振不对称分离效应进行分析研究。通...[more]
5. 论文题目:冷凝液滴自推进行为的临界触发条件分析
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全部作者:
褚福强,吴晓敏,朱毅

作者单位:清华大学热能工程系,热科学与动力工程教育部重点实验室,二氧化碳资源利用与减排技术北京市重点实验室
期 数:2017年10月第19期
学 科:物理学
摘 要:从液滴本身和冷凝表面两方面建立理论模型,分析影响自推进液滴行为的因素。结果表明,对液滴本身而言,增加合并液滴的数量及粒径比均有利于表面能的释放,促进自推进液滴行...[more]
6. 论文题目:预磁化对SmBCO超导块材磁悬浮性能的影响
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全部作者:
王雅囡,杨万民,杨芃焘

作者单位:陕西师范大学物理学与信息技术学院
期 数:2017年10月第19期
学 科:物理学
摘 要:采用顶部籽晶熔渗生长(top-seeded infiltration and growth,TSIG)法成功制备0.5%CeO2掺杂SmBCO超导块材,其直径为20 mm、厚度为10 mm. 研究样品在不同外加磁场条件下所能捕获的捕获磁场大小和...[more]
7. 论文题目:基于石墨烯的高比表面积碳纳米复合结构材料
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全部作者:
胡保东,王紫东,周梦杰,任黎明,傅云义

作者单位:北京大学信息科学技术学院
期 数:2017年10月第19期
学 科:物理学
摘 要:研究通过使用氧等离子体刻蚀光刻胶的方法,在化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法生长出的石墨烯表面制备活性碳材料,从而形成基于石墨烯的碳纳米复合结构。对该材料进...[more]
8. 论文题目:自旋轨道耦合下铁磁单层石墨烯结的自旋输运
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全部作者:
陈宪章,包瑞,刘郴荣,黄亮

作者单位:兰州大学物理科学与技术学院,磁学与磁性材料教育部重点实验室
期 数:2017年10月第19期
学 科:物理学
摘 要:为实现铁磁机理,需提高单层石墨烯结中自旋轨道耦合强度,因此在研究石墨烯结的自旋输运时需考虑自旋轨道耦合。利用格林函数计算不同形式的自旋轨道耦合对铁磁单层石墨烯结...[more]
9. 论文题目:湿法无胶转移石墨烯技术
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全部作者:
郭剑,王紫东,任黎明,傅云义

作者单位:北京大学信息科学技术学院
期 数:2017年10月第19期
学 科:物理学
摘 要:湿法转移是一种使用最广泛的石墨烯转移方法。采用湿法无胶的转移方法,得到表面洁净且质量较高的石墨烯。该方法以生长石墨烯的铜箔本身作为保护层,将此时的铜箔紧贴于目标...[more]
10. 论文题目:MBE生长Be掺杂GaAs的光学特性及硫钝化处理研究
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全部作者:
贾慧民,王彪,王登魁,房丹,郝永芹,张家斌,李辉,张晶,马晓辉

作者单位:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
期 数:2017年10月第19期
学 科:物理学
摘 要:以Be为掺杂剂,采用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)技术在半绝缘砷化镓(GaAs)衬底上外延获得表面形貌均匀、晶体质量较好、掺杂浓度较高的Be掺杂p型GaAs薄膜材料,并用于研究...[more]