论文
1. 论文题目：过冷度对新TSIG法单畴SmBCO超导块材性能的影响
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全部作者：
李强，杨万民
（0） 评论作者单位：陕西师范大学物理学与信息技术学院
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：为降低Sm1+xBa2-xCu3Oy晶体中的固溶度x，以（Sm2O3+1.2BaCuO2）为新固相源，通过等温生长和淬火相结合的方法，研究过冷度对新顶部籽晶熔渗法（top seeded infiltration and growth process，TSIG）单畴...[more]
2. 论文题目：基于逆抛物线方程法的有源目标探测定位
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全部作者：
周亮，廖成，盛楠，张青洪
（0） 评论作者单位：西南交通大学电磁场与微波技术研究所
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：基于双向抛物线方程模型，应用逆抛物线方程法对二维空间目标进行定位。针对传统逆抛物线方程法难以分离目标回波和背景杂波的问题，采用时间反演自适应消除法对背景杂波进行...[more]
3. 论文题目：原子层沉积法中AlOx薄膜厚度对表面钝化效果的研究
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全部作者：
谢洪丽，张炳烨，王雨钧，刘爱民
（0） 评论作者单位：大连理工大学物理与光电工程学院
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：采用原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）法在P型制绒单晶硅（crystalline silicon, c-Si）表面生长不同厚度的AlOx薄膜，通过改变生长周期控制AlOx薄膜的厚度。利用场发射扫描电镜（field ...[more]
4. 论文题目：应用HFSS软件仿真分析大脑电磁场
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全部作者：
许占显
（0） 评论作者单位：广东环境保护工程职业学院机电工程系
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：应用HFSS软件仿真分析大脑电磁场，结合国际、国家电磁辐射标准评价电磁辐射对环境和人体健康的影响与危害。电磁辐射的强弱主要取决于场强、波型、频率、作用时间、人体与辐射...[more]
5. 论文题目：浸没介质对微球超分辨成像的影响
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全部作者：
曹玲玲，姚岭，叶永红
（0） 评论作者单位：南京师范大学物理科学与技术学院
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：使用4种不同折射率的浸没介质（去离子水，无水乙醇，质量浓度为50%的盐水和透镜浸没油）浸没 3种不同材质的微球[钛酸钡（barium titanate glass，BTG），聚苯乙烯（polystyrene，PS）和...[more]
6. 论文题目：单晶硅体寿命与表面复合速率的分离
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全部作者：
宋成源，李平，王宇轩，王禹均，刘爱民
（0） 评论作者单位：大连理工大学物理与光电工程学院
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：表面复合速率和体寿命是硅半导体材料的2个重要参数。根据单晶硅中非平衡少数载流子浓度的一维连续性方程，在准稳态光电导（quasi-steady state photoconductance，QSSPC）测试模式下通过数...[more]
7. 论文题目：基于8字形散射体正方晶格光子晶体完全带隙特性研究
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全部作者：
潘赛虎，徐权
（0） 评论作者单位：常州大学信息科学与工程学院
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：提出一种基于旋转对称的8字形散射体二维正方晶格光子晶体。利用麻省理工学院（Massachusetts Institute of Technology，MIT）提供的开源仿真器（MPB）仿真分析了该结构光子晶体的结构参数对...[more]
8. 论文题目：离轴参量及传输距离对离轴涡旋光束传输特性的影响
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全部作者：
冯嘉文，朱正天，赵琦，陈元恺，刘一斯
（0） 评论作者单位：南京理工大学电子工程与光电技术学院
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：利用标量菲涅尔衍射积分推导出离轴涡旋光束在拓扑荷为±1情况下经过单缝衍射后的电场解析表达式。通过Mathematica软件进行模拟，分析了离轴涡旋光束中心相位奇点的传输特性。模拟...[more]
9. 论文题目：基于荧光粉激光显示系统光源的研究
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全部作者：
叶鑫鑫，赵琦
（0） 评论作者单位：南京理工大学电子工程与光电技术学院
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：研究了荧光粉激光显示光学系统中关于混合白光色坐标的计算方法以及色坐标、色温、光通量随荧光粉比例变化的规律。蓝色激光激发红色、绿色、黄色各单色荧光粉轮，运用积分球...[more]
10. 论文题目：核物理实验中几种实用的峰值保持电路
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全部作者：
林斯波，葛愉成
（1） 评论作者单位：北京大学物理学院，核物理与核技术国家重点实验室
期 数：2015年8月第15期
学 科：物理学
摘 要：介绍了峰值保持电路的工作原理，并针对脉冲宽度为500 ns左右的高速高斯输入脉冲，设计了几种实用的峰值保持电路。先后采用LF398与OPA615采样保持芯片，实现了2种峰值保持电路，并...[more]
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