论文
1. 论文题目：微形貌调制对55 nm铜互连电迁移可靠性的影响
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（3） 评论
全部作者：
林聪，徐莹，周维，何亮亮
（3） 评论作者单位：上海华力微电子有限公司
期 数：2018年11月第22期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：随着芯片集成度越来越高，金属互连线承受的电流密度也越来越高，电迁移引起的集成电路可靠性问题日趋凸显。研究介绍了电迁移的基本原理和测试方法，分析了铜互连不同位置电...[more]
2. 论文题目：基于毛细管结构的热式风速传感器设计
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全部作者：
靳炜，刘清惓，宿恺峰，杨杰
（0） 评论作者单位：江苏省大气环境与装备技术协同创新中心；南京信息工程大学电子与信息工程学院，江苏省气象探测与信息处理重点实验室；南京信息工程大学大气物理学院
期 数：2018年5月第10期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：提出一种基于毛细管结构的热式风速传感器，利用计算流体动力学（computational fluid dynamics，CFD）方法对该传感器探头进行数值分析。为验证CFD方法的准确性和热式风速传感器的实际性...[more]
3. 论文题目：IGBT模块焊料层故障易发部位探究
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全部作者：
吴寒江，王浩轩
（1） 评论作者单位：国网冀北电力有限公司廊坊供电公司
期 数：2018年8月第16期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：以绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）功率模块为开关器件，不断地通断操作，使其经受温度和应力的反复冲击，模块的性能将不断退化，可靠性逐渐降低。针对IG...[more]
4. 论文题目：基于宽禁带半导体氮化镓的高温电子器件建模
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全部作者：
沈鸿媛，杨杰，苑振宇，叶柠，陈云娜
（0） 评论作者单位：东北大学信息科学与工程学院
期 数：2018年5月第10期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有更大的禁带宽度及更好的耐高温性能，逐渐成为半导体器件研究的热点。本文从高温器件模型的建立方面进行研究，搭建全温度测试系统，针对GaN...[more]
5. 论文题目：基于FPGA的自适应数字下变频器实现
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全部作者：
谷广宇，付永庆，于智欣
（0） 评论作者单位：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
期 数：2018年5月第10期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：针对宽带数字信号的数据存储、传输和实时处理的压力非常大，而窄带数字信号的实时处理比较容易的特点，设计一种基于现场可编程门阵列（field programmable gate array，FPGA）的自适应...[more]
6. 论文题目：基于GS软译码的JTIDS系统
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全部作者：
石宇菁，李绍胜
（0） 评论作者单位：北京邮电大学信息与通信工程学院
期 数：2018年5月第10期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：利用软译码算法提高RS（Reed-Solomon）码的纠错能力，并将其应用于联合战术信息分发系统（joint tactical information distribution system，JTIDS）中，以提高通信的可靠性。仿真结果表明，在AWGN...[more]
7. 论文题目：基于瞬时统计特征的调制方式自动识别
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全部作者：
董雪，张晓林
（0） 评论作者单位：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
期 数：2018年5月第10期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：通过对非协作通信环境下的调制识别算法进行研究，针对2ASK、4ASK、2FSK、2PSK、MSK、FM、LSB和USB等8种通信信号，提出一种基于瞬时统计特征和决策树识别的优化算法。与以往的算法相比...[more]
8. 论文题目：基于高炉料线的MIMO成像雷达设计
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全部作者：
聂臻霖，陈先中，侯庆文
（3） 评论作者单位：北京科技大学自动化学院，工业过程知识自动化教育部重点实验室
期 数：2018年11月第22期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：为获得在工业高炉冶炼过程中炉料表面完整的图像信息，采用多输入多输出（multiple-input multiple-output，MIMO）雷达对料面进行成像研究。首先，设计了耐高温、高压、高粉尘的特种天线...[more]
9. 论文题目：一种基于遗传算法的作业车间调度问题的解决方案
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全部作者：
陈浩哲，王晨升，朱宏波，李佳，杨光，贾智涵
（4） 评论作者单位：北京邮电大学自动化学院
期 数：2018年11月第22期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：作业车间调度问题（job-shop scheduling problem，JSP）是复杂调度问题类型之一，有着十分重要的研究意义和工程价值。本文以标准遗传算法为基础，在充分利用遗传信息的改进思路下，将...[more]
10. 论文题目：SiNx基阻变存储器的单双极阻变特性演变探究
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全部作者：
尤嘉旸，沈自晓，江小帆，马忠元，徐岭，李伟， 陈坤基，黄信凡，冯端
（1） 评论作者单位：南京大学电子科学与工程学院
期 数：2018年8月第16期
学 科：电子、通信与自动控制技术
摘 要：首次探究了SiNx基阻变存储器单双极阻变特性的演变机制，发现氢化非晶氮化硅薄膜具有典型的双极阻变特性；而纳米晶硅镶嵌的氮化硅多层膜结构具有不依赖于顶电极的单极阻变特性...[more]
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