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ZnO/ZnMgO单量子阱室温发光性质的研究
发表时间：2011-05-15 浏览量：1445 下载量：695
| 全部作者： | 王彦杰，张世著，何海平，叶志镇 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition, PLD)技术，在Si（111）衬底上生长了不同阱宽的ZnO/ZnMgO 单量子阱。室温下，对于不同阱宽的ZnO/ZnMgO单量子阱样品均观测到阱层激子光致发光现象。随着阱层宽度的减小，发光峰位出现蓝移，这是由量子约束效应引起的。采用一维有限深势阱模型，对于阱宽与激子能量的关系进行理论计算，并与实验值进行比较，二者吻合较好。室温下观察到ZnO/ZnMgO 单量子阱的量子约束效应，说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。 |
| 关 键 词： | 材料物理与化学；ZnO/ZnMgO单量子阱；光致发光；量子约束效应 |
| Title： | Room-temperature photoluminescence from ZnO/ZnMgO single quantum well |
| Author： | WNAG Yanjie, ZHANG Shizhu, HE Haiping, YE Zhizhen |
| Organization： | State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University |
| Abstract： | ZnO/ZnMgO single quantum wells (SQWs) with different well layer thickness have been grown on Si (111) substrates by pulsed laser deposition (PLD). Compared with the ZnO single layer, room-temperature photoluminescence resulting from the well regions exhibits a blueshift. Also, the blueshift increases with the decrease of the well thickness. The well layer thickness dependence of the emission energy was calculated by a simple theoretical model and compared with the experimental data. The observation of quantum confinement effects at room temperature suggests the sharp interface and good crystal quality of the grown SQW. |
| Key words： | materials physics and chemistry; ZnO/ZnMgO single quantum well; photoluminescence; quantum confinement effects |
| 发表期数： | 2011年5月第9期 |
| 引用格式： | 王彦杰，张世著，何海平，等. ZnO/ZnMgO单量子阱室温发光性质的研究[J]. 中国科技论文在线精品论文，2011，4（9）：841-844. |
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