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在全部年份的全部期数中，共包含物理学学科的论文191篇

论文

1. 论文题目：Si端面β-SiC(001)表面原子结构随温度变化的分子动力学模拟

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全部作者：马梨，赵耀林，贺朝会，张鹏，臧航，郭达禧，席建琦，李涛，曹星庆

作者单位：西安交通大学能源与动力工程学院

期数：2014年8月第15期

学科：凝聚态物理学

摘要：采用Tersoff/ZBL势对不同温度下Si端面β-SiC(001)表面的原子结构进行分子动力学（molecular dynamics, MD）模拟研究。结果表明：各温度下Si端面β-SiC(001)表面的亚稳定结构中硅二聚体占比例最大...[more]

2. 论文题目：立方BC2N本征缺陷的第一性原理研究

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全部作者：田夫波，李达，段德芳，陈长波，沙小晶，刘冰冰，崔田

作者单位：吉林大学物理学院，超硬材料国家重点实验室

期数：2014年8月第15期

学科：凝聚态物理学

摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究立方BC2N（c-BC2N）本征缺陷的稳定性及性质。计算结果表明：反位缺陷NB和空位(VB, VCI, VCII和VN)的形成能很高，因而在体系中不能稳定存在。...[more]

3. 论文题目：一种太赫兹平面波面整形透镜设计

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全部作者：郑靖奎，马云贵

作者单位：浙江大学光电信息工程学系

期数：2014年8月第15期

学科：光学

摘要：基于传输线模型和弯曲金属线结构，设计一组太赫兹波段下波面整形透镜设计的基本单元，并据此进一步提出一种波面整形透镜的设计方案。此设计具有在亚波长尺度上对太赫兹波传...[more]

4. 论文题目：B掺杂金刚石膜上ZnO：Eu NRs的生长及性质研究

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全部作者：于琦，马一博，裴晓强，刘钧松，桑丹丹，杨怡舟，成绍恒，王启亮，李红东

作者单位：吉林大学超硬材料国家重点实验室；陕西理工学院材料科学与工程学院

期数：2014年8月第15期

学科：半导体物理学

摘要：利用水热合成法，在B掺杂p型金刚石膜上生长Eu掺杂ZnO纳米棒(Eu doped zinc oxide nanorods, ZnO:Eu NRs)，并研究其形貌变化、发光及半导体异质结电学特性等与Eu掺杂浓度的关系。结果表明：随...[more]

5. 论文题目：生物大分子链在生物电作用下穿越生物膜的动力学行为研究

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全部作者：温晓会

作者单位：成都理工大学地球物理学院

期数：2014年8月第15期

学科：凝聚态物理学

摘要：采用分子动力学（molecular dynamics, MD）模拟方法，研究生物大分子链在生物电作用下穿越生物膜上孔道的动力学行为。模拟发现：生物大分子的链长与穿孔时间之间有很好的标度关系；...[more]

6. 论文题目：Tm3+:BaY2F8被动调Q脉冲激光器

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全部作者：赵永光，于浩海

作者单位：山东大学晶体材料国家重点实验室

期数：2014年2月第3期

学科：光学

摘要：研究利用Cr2+:ZnS作为可饱和吸收体，用掺杂浓度厚子分数为8%的z切Tm:BYF（Tm3+:BaY2F8）晶体作为激光增益材料，实现了1 918.6 nm被动调Q脉冲激光运转。实验采用L型腔以适当增大光斑面积，...[more]

7. 论文题目：基于ANSYS移动激光源作用玻璃表面的温度场分析

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全部作者：刘彩飞，冯国英，吴长顺，宋敏

作者单位：四川大学电子信息学院

期数：2014年2月第3期

学科：传热学

摘要：首先基于理论模型，模拟了静止激光源作用在玻璃表面的温度场，并与实验结果对比，验证了模型的正确性。之后，基于此模型研究了运动激光源作用玻璃表面的温度场分布，以及激...[more]

8. 论文题目：多孔硅表面磁控溅射沉积Ti膜的形貌研究

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全部作者：展长勇，蒋稳，邹宇，任丁，伍建春，杨斌，黄宁康

作者单位：辐射物理及技术教育部重点实验室，四川大学原子核科学技术研究所

期数：2014年2月第3期

学科：薄膜物理学

摘要：采用磁控溅射方法分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径分别为2.5，12，15 μm的多孔硅阵列上沉积Ti膜。讨论了不同偏压条件下沉积Ti膜的形貌和多孔硅刻蚀形貌对Ti膜的影响。研究表明：未加...[more]

9. 论文题目：反应室气压对Mg掺杂GaN的影响

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全部作者：朱铭，梁红伟，申人升，张克雄，夏晓川，宋世巍，柳阳，杜国同

作者单位：大连理工大学物理与光电工程学院；吉林大学电子科学与工程学院，集成光电子学国家重点实验室

期数：2014年2月第3期

学科：半导体物理学

摘要：利用Aixtron CCS金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD)设备生长了Mg掺杂的GaN，通过对反应室内气压的调节，在150，250，400，600 mbar气压下，制备了4个Mg掺杂GaN样品。...[more]