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退火对ZnO纳米杆/n+-Si异质结I-V特性的影响
发表时间：2011-11-30 浏览量：1762 下载量：701
| 全部作者： | 黄晖辉，方国家，李颂战，龙浩，莫小明，王皓宁，赵兴中 |
| 作者单位： | 武汉大学物理科学与技术学院 |
| 摘 要： | 采用水热法，在n型重掺杂的硅片（100）上生长了垂直致密的ZnO纳米杆，并制备了ZnO纳米杆/n+-Si异质结。研究在630℃下不同退火时间对ZnO纳米杆/n+-Si异质结I-V特性的影响。实验表明：随着退火时间的增加，器件I-V曲线的整流性能得到明显提高，并对其原因进行了分析。 |
| 关 键 词： | 微电子学与固体电子学；ZnO纳米杆；异质结；I-V特性；退火 |
| Title： | Influence of annealing on I-V characteristic of ZnO nanorods/n+-Si heterojunction |
| Author： | HUANG Huihui, FANG Guojia, LI Songzhan, LONG Hao, MO Xiaoming, WANG Haoning, ZHAO Xingzhong |
| Organization： | School of Physics and Technology, Wuhan University |
| Abstract： | In this paper, the ZnO nanorods/n+-Si heterojunction was fabricated by growing vertical and compact ZnO nanorods on heavily doped n type silicon wafer using a low-temperature aqueous solution method. The influences of different annealing time under 630℃ on the I-V characteristic of the ZnO nanorods/n+-Si heterojunction were studied, and the experimental results revealed that the rectification behaviours of the I-V curves were greatly enhanced by increasing the annealing time, and the reason was studied in this work. |
| Key words： | mirco electronics and solid state electronics; ZnO nanorods; heterojunction; I-V characteristics; annealing |
| 发表期数： | 2011年11月第22期 |
| 引用格式： | 黄晖辉，方国家，李颂战，等. 退火对ZnO纳米杆/n+-Si异质结I-V特性的影响[J]. 中国科技论文在线精品论文，2011，4（22）：2041-2043. |
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