您的位置：首页 > 论文页面
单晶硅体寿命与表面复合速率的分离
发表时间：2015-08-15 浏览量：2535 下载量：996
| 全部作者： | 宋成源，李平，王宇轩，王禹均，刘爱民 |
| 作者单位： | 大连理工大学物理与光电工程学院 |
| 摘 要： | 表面复合速率和体寿命是硅半导体材料的2个重要参数。根据单晶硅中非平衡少数载流子浓度的一维连续性方程，在准稳态光电导（quasi-steady state photoconductance，QSSPC）测试模式下通过数值分析计算，最终将表面复合速率与体寿命分离开。通过计算不同电阻率的P型单晶硅，在高注入情况下，相较恒定常数的体寿命，依赖于非平衡载流子浓度变化的体寿命严重影响载流子的分布。 |
| 关 键 词： | 半导体物理学；硅太阳能电池；准稳态光电导；体寿命；表面复合速率 |
| Title： | Separation of bulk lifetime and surface recombination velocity in silicon wafer |
| Author： | SONG Chengyuan, LI Ping, WANG Yuxuan, WANG Yujun, LIU Aimin |
| Organization： | School of Physics and Optoelectronic Engineering, Dalian University of Technology |
| Abstract： | The surface recombination velocity and the bulk lifetime of minority carriers are important electronic properties for silicon solar cell materials. In this work, according to the one-dimensional continuity equation of non equilibrium minority carrier concentration in silicon wafer, and through the numerical analysis under quasi-steady state photoconductance (QSSPC) test model, we separate bulk time and surface recombination velocity. Based on the calculation on the P silicon wafer with different resistivities, we find that bulk lifetime depending upon carrier density influences the density distribution vitally rather than taking bulk lifetime as a constant at high injection level. |
| Key words： | semiconductor physics; silicon solar cells; quasi-steady state photoconductance; bulk lifetime; surface recombination velocity |
| 发表期数： | 2015年8月第15期 |
| 引用格式： | 宋成源，李平，王宇轩，等. 单晶硅体寿命与表面复合速率的分离[J]. 中国科技论文在线精品论文，2015，8（15）：1614-1620. |
0
评论数 0请您登录
暂无评论
下载全文
多维论文