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氧化锡稀磁半导体研究进展
发表时间：2019-03-22 浏览量：1745 下载量：396
| 全部作者： | 江凤，李博，冯琴，刘天府 |
| 作者单位： | 北京理工大学化学与化工学院 |
| 摘 要： | 稀磁半导体（diluted magnetic semiconductor，DMS）是结合电荷导电性能与电子自旋，使材料同时具有铁磁性及导电性能的一类自旋电子学材料。找到性能优良、居里温度高于室温的DMS是过去十几年的研究热点。氧化锡（SnO2）是重要的氧化物稀磁半导体之一。过渡金属掺杂氧化锡体系已实现了室温铁磁性，有望成为制备自旋电子学器件的材料。本文主要介绍了氧化锡基DMS的研究进展及磁性来源，并对其未来的研究方向进行了展望。 |
| 关 键 词： | 无机化学；稀磁半导体；综述；自旋电子学；氧化锡；过渡金属 |
| Title： | Research advances on diluted magnetic semiconductors of tin oxide |
| Author： | JIANG Feng, LI Bo, FENG Qin, LIU Tianfu |
| Organization： | School of Chemistry and Chemical Engineering, Beijing Institute of Technology |
| Abstract： | Diluted magnetic semiconductor (DMS) is spintronic material that combines the two characters of the electrons: charge and spin, which make the material possess both ferromagnetic and conductive properties. Finding novel DMS with excellent performance and Curie temperature higher than room temperature is a research hotspot in the past decade or so. Tin oxide (SnO2) is one of the important oxide diluted magnetic semiconductors. Transition metal-doped tin oxide systems have achieved room temperature ferromagnetism, and are expected to be materials for the preparation of spintronic devices. The research progress and magnetic source of SnO2-based DMS are mainly discussed in details, and the future research direction is also prospected. |
| Key words： | inorganic chemistry; diluted magnetic semiconductor; review; spintronics; tin oxide; transition metals |
| 发表期数： | 2019年2月第1期 |
| 引用格式： | 江凤，李博，冯琴，等. 氧化锡稀磁半导体研究进展[J]. 中国科技论文在线精品论文，2019，12（1）：90-98. |
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